DMJ70H1D3SJ3

Número de Producto del Fabricante:

DMJ70H1D3SJ3

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMJ70H1D3SJ3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Descripción Detallada:

N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12888383

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

beIM

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

DMJ70H1D3SJ3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

700 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4.6A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

13.9 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

351 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

41W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-251

Paquete / Caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de producto base

DMJ70

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

DMJ70H1D3SJ3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

75

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

diodes

DMP3007SCG-7

MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

diodes

DMP32D4S-13

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

diodes

DMG2302UK-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

diodes

DMT6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB