Número de Producto del Fabricante:
IRF7853TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7853TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
11350 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806591
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Cantidad
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ENVIAR
IRF7853TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1640 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
IRF7853
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRF7853TRPBFDKR
SP001554438
IRF7853TRPBF-DG
IRF7853TRPBFCT
IRF7853TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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