Número de Producto del Fabricante:
IRFH8318TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH8318TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventario:
15872 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804380
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ENVIAR
IRFH8318TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Ta), 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3180 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IRFH8318
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFH8318TRPBFCT
IRFH8318TRPBFDKR
SP001572710
IRFH8318TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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