Número de Producto del Fabricante:
IRLHS6342TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLHS6342TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Inventario:
130231 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806081
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ENVIAR
IRLHS6342TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 10µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1019 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja
6-PowerVDFN
Número de producto base
IRLHS6342
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001573840
IRLHS6342TRPBFTR
IRLHS6342TRPBFCT
IRLHS6342TRPBF-DG
IRLHS6342TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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