ISC0805NLSATMA1
Número de Producto del Fabricante:

ISC0805NLSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

ISC0805NLSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 71A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-46

Inventario:

2594 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993099
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ISC0805NLSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta), 71A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 40µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-46
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISC0805N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-ISC0805NLSATMA1TR
448-ISC0805NLSATMA1DKR
448-ISC0805NLSATMA1CT
SP005430376

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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