Número de Producto del Fabricante:
IXFN40N110P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFN40N110P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Descripción Detallada:
N-Channel 1100 V 34A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12821401
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
oRq6
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFN40N110P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN40
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
APT10025JVR
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
9
NÚMERO DE PIEZA
APT10025JVR-DG
PRECIO UNITARIO
65.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTQ96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
IXTH62N25T
MOSFET N-CH 250V 62A TO247
IXFT23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO268