MSC080SMA120SA
Número de Producto del Fabricante:

MSC080SMA120SA

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

MSC080SMA120SA-DG

Descripción:

MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventario:

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MSC080SMA120SA Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
838 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
182W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
MSC080

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
150-MSC080SMA120SA

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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