Número de Producto del Fabricante:

JANTX2N6766

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

JANTX2N6766-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 30A TO3

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventario:

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12927441

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JANTX2N6766 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Microsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

30A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

90mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

115 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Military

Calificación

MIL-PRF-19500/543

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-3

Paquete / Caja

TO-204AE

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

2N6764,66,68,70

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Otros nombres

JANTX2N6766-MIL

150-JANTX2N6766

JANTX2N6766-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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