FCH029N65S3-F155
Número de Producto del Fabricante:

FCH029N65S3-F155

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FCH029N65S3-F155-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

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FCH029N65S3-F155 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
29mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
201 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6340 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
463W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
FCH029

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FCH029N65S3-F155
Hoja de datos HTML
FCH029N65S3-F155-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-FCH029N65S3-F155

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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