Número de Producto del Fabricante:
FQD6N60CTM-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD6N60CTM-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12847846
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ENVIAR
FQD6N60CTM-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
810 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD6N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD60R2K1CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
10286
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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