Número de Producto del Fabricante:
STFI260N6F6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STFI260N6F6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Inventario:
297 Pcs Nuevos Originales En Stock
12873501
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ENVIAR
STFI260N6F6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número de producto base
STFI260N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
-497-14194-5
497-14194-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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