Número de Producto del Fabricante:
STH110N10F7-6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH110N10F7-6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventario:
12946455
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ENVIAR
STH110N10F7-6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5117 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-6
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
STH110
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
-497-13837-1
-497-13837-2
497-13837-6
497-13837-2
-497-13837-6
497-13837-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SUM70040M-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
799
NÚMERO DE PIEZA
SUM70040M-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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