Número de Producto del Fabricante:
STW60NE10
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW60NE10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12879150
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ENVIAR
STW60NE10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW60N
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-2643-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTQ75N10P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
3
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ75N10P-DG
PRECIO UNITARIO
2.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTH110N10L2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTH110N10L2-DG
PRECIO UNITARIO
12.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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