Número de Producto del Fabricante:
TPS1120DR
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
TPS1120DR-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
728 Pcs Nuevos Originales En Stock
12814077
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ENVIAR
TPS1120DR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.17A
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
840mW
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
TPS1120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
296-1352-2-NDR
296-1352-1
TPS1120DRG4-DG
296-1352-1-NDR
296-1352-2
296-1352-6
TPS1120DRG4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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