Número de Producto del Fabricante:
RN1112ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1112ACT(TPL3)-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventario:
9945 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889332
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RN1112ACT(TPL3) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
80 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
22 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Potencia - Máx.
100 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivos del proveedor
CST3
Número de producto base
RN1112
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
RN1112ACT(TPL3)DKR
RN1112ACT(TPL3)CT
RN1112ACT(TPL3)TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PDTC124TM,315
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
PDTC124TM,315-DG
PRECIO UNITARIO
0.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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