Número de Producto del Fabricante:
SIRS4401DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIRS4401DP-T1-GE3-DG
Descripción:
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 46.8A (Ta), 198A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
10980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12998803
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ENVIAR
SIRS4401DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46.8A (Ta), 198A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
588 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21850 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIRS4401
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR
742-SIRS4401DP-T1-GE3TR
742-SIRS4401DP-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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